behlke高壓開關(guān)GHTS 30實(shí)驗(yàn)室用脈沖發(fā)生器 

GHTS系列型號的推拉開關(guān)單元是即用型脈沖發(fā)生器，專門為電容性負(fù)載元件設(shè)計(jì)，例如pockels電池、偏轉(zhuǎn)和加速網(wǎng)格、

離子光學(xué)、壓電晶體、脈沖微通道和SEV。

結(jié)合一個(gè)外部高壓電源和一個(gè)控制信號源，可以產(chǎn)生真正的方波脈沖的振幅為3.000至10.000伏，這取決于類型。

脈沖發(fā)生器是電流隔離的，因此可以在兩個(gè)極性以及不同的浮動模式下操作。

該單位包含兩個(gè)單一的開關(guān)，這是交替控制充電和放電的電容性負(fù)載元件。

由于沒有工作電阻，來自高壓電源的電流只能用來給電容性負(fù)載充電。

充電峰值電流可以在幾納秒內(nèi)達(dá)到幾十安培，但只要負(fù)載電容充電時(shí)，輸出電流幾乎減小到零。

無論脈沖長度如何，這都保證了出色的頂部平坦度。

GHTS開關(guān)單元針對所有相關(guān)的高頻/大功率設(shè)計(jì)方面進(jìn)行了精心優(yōu)化，并顯

示出出色的開關(guān)特性。

該器件由一個(gè)DC/DC轉(zhuǎn)換器組成，用于內(nèi)部驅(qū)動電壓、控制和保護(hù)電路、驅(qū)動電路和具有兩個(gè)交替控制的開關(guān)的

開關(guān)模塊。

開關(guān)是由大量的串聯(lián)和并聯(lián)MOSFET組成的。這些MOSFET具有內(nèi)在(寄生)二極管，在開關(guān)路徑上顯示為并聯(lián)二極管。

其結(jié)果是定義了開關(guān)極性。

這意味著當(dāng)輸入電壓的極性改變時(shí)，開關(guān)的極性也必須改變。這僅僅是通過更換后面板的插頭來完成的。

幾個(gè)陶瓷電容器內(nèi)置提供必要的電荷最快的過渡和最佳的脈沖形狀。

如果需要較慢的開關(guān)速度(例如，為了降低EMI)，或者為了防止輸出短路，

GHTS開關(guān)單元可以配備200歐姆(標(biāo)準(zhǔn))或任何其他電阻值的輸出串聯(lián)電阻。

GHTS開關(guān)單元內(nèi)置在小型金屬法蘭外殼中，便于安裝在要切換的負(fù)載元件附近。

這提供了具有低電容的短脈沖傳輸電纜的優(yōu)勢，這是在高開關(guān)頻率下實(shí)現(xiàn)短過渡時(shí)

間和低功率損耗的先決條件。所有連接均采用標(biāo)準(zhǔn)插入式連接器。一套完整的插頭和適配器隨設(shè)備一起提供。

對于在更高的頻率和更高的電容下運(yùn)行，一些型號還提供了可選的風(fēng)扇(參見背面的數(shù)據(jù)表)。

特點(diǎn)

● 脈沖發(fā)生器中的高壓開關(guān)配置 

● 即用型 

● 無需外部元件 

● 全部脈沖發(fā)生器針對系統(tǒng)集成進(jìn)行了優(yōu)化 

● 實(shí)驗(yàn)室脈沖發(fā)生器始終通過CE認(rèn)證

GHTS 30技術(shù)參數(shù)

尺寸[mm3] 170 x 110 x 45

電壓[kV]2 x 3

電流[A]2 x 30

高壓脈沖寬度[ns] 100…∞

重量 2.0kg

型號

GHTS 60

GHTS 30

GHTS 30A

GHTS 100

GHTS 60A

GHTS 100 A

GHTS 60 B

GHTS 系列選項(xiàng)：

選項(xiàng) 01保護(hù)串聯(lián)電阻 200 歐姆。 

選項(xiàng) 02內(nèi)置微型風(fēng)扇

選項(xiàng) 03通過以下方式提高內(nèi)部開關(guān)模塊的導(dǎo)熱性 內(nèi)部陶瓷冷卻表面

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