2ω法納米薄膜導熱儀TCN-2ω技術解析
該裝置是目前世界上唯yi使用2ω法測量納米薄膜厚度方向熱導率的商用裝置。與其他方法相比,樣品制作和測量更容易。
量化低K絕緣膜的熱阻,用于半導體器件的熱設計
絕緣膜的開發(fā)與散熱的改善
熱電薄膜應用評價
可以測量在厚度方向上形成在基板上的 20 到 1000 nm 的薄膜的熱導率。
使用熱反射法通過溫度幅度檢測實現(xiàn)測量
測量樣品的簡單預處理
測量溫度 | 轉播時間 |
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樣品尺寸 | 寬度 10 毫米 x 長度 10 至 20 毫米 x 厚度 0.3 至 1 毫米(板) |
測量氣氛 | 在真空中 |
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